| 제품 모델 | STD65N55F3 | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 86088 pcs | 데이터 시트 | STD65N55F3.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | DPAK |
| 연속 | STripFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.5 mOhm @ 32A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 다른 이름들 | 497-7973-2 STD65N55F3-ND |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2200pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55V |
| 상세 설명 | N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
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