| 제품 모델 | STP16N50M2 | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 66455 pcs | 데이터 시트 | STP16N50M2.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±25V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220 |
| 연속 | MDmesh™ M2 | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | 다른 이름들 | 497-15274-5 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 710pF @ 100V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500V |
| 상세 설명 | N-Channel 500V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Tc) |
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