TC58BYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

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제품 개요

In Stock 24557 pcs

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제품 모델	TC58BYG1S3HBAI6	제조사	Toshiba Memory America, Inc.
기술	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	24557 pcs	데이터 시트	TC58BYG1S3HBAI6.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	25ns	전압 - 공급	1.7 V ~ 1.95 V
과학 기술	FLASH - NAND (SLC)	제조업체 장치 패키지	67-VFBGA (6.5x8)
연속	Benand™	포장	Tray
패키지 / 케이스	67-VFBGA	다른 이름들	TC58BYG1S3HBAI6JDH TC58BYG1S3HBAI6YCL
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	3 (168 Hours)	메모리 유형	Non-Volatile
메모리 크기	2Gb (256M x 8)	메모리 인터페이스	Parallel
메모리 형식	FLASH	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
상세 설명	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)	액세스 시간	25ns

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