제품 모델 | SSM6L35FU(TE85L,F) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 170214 pcs | 데이터 시트 | SSM6L35FU(TE85L,F).pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | 제조업체 장치 패키지 | US6 |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
전력 - 최대 | 200mW | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 다른 이름들 | SSM6L35FU(TE85LF)CT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9.5pF @ 3V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
FET 유형 | N and P-Channel | FET 특징 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180mA, 100mA |
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