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Toshiba Semiconductor and Storage
| 제품 모델 | TK650A60F,S4X | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 58322 pcs | 데이터 시트 | TK650A60F,S4X.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 1.16mA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220SIS |
| 연속 | U-MOSIX | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 45W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | 다른 이름들 | TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S |
| 작동 온도 | 150°C | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | Not Applicable | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1320pF @ 300V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
| 상세 설명 | N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Ta) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
|---|---|---|
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