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STMicroelectronics
| 제품 모델 | STS10DN3LH5 | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 59555 pcs | 데이터 시트 | STS10DN3LH5.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
| 연속 | STripFET™ V | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 21 mOhm @ 5A, 10V |
| 전력 - 최대 | 2.5W | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | 497-10011-1 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 475pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.6nC @ 5V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
|---|---|---|
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