제품 모델 | STS10P4LLF6 | 제조사 | STMicroelectronics |
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기술 | MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 162234 pcs | 데이터 시트 | STS10P4LLF6.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA (Min) | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | STripFET™ F6 | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15 mOhm @ 3A, 10V |
전력 소비 (최대) | 2.7W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | 497-15483-2 |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3525pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 34nC @ 4.5V |
FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V |
상세 설명 | P-Channel 40V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) |
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